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液化空气集团电子气业务加强高介电常数锆基前驱体的专利保护

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-05-28

  已获得中国专利局授予的相关专利,从而使中国成为了继韩国、新加坡、中国台湾以及部分欧洲国家之后又一获得该项专利的国家。此外,相关专利的申请工作在其他国家及地区也预期顺利。及其它类似分子应用于高介电常数沉积镀膜,该工艺目前已在全球范围内获得11项专利,另有13项专利正在申请中。

  是上述已获专利的系列分子中一种重要的锆前驱体(功能分子)。该分子能够在半导体制造工艺中,实现高温条件下原子层沉积方法(ALD)沉积锆基介电层。ZyALD于2006年首次引入工业应用,目前已成为世界范围内用于生产动态随机存取存储器(DRAM)的主流高介电常数前驱体,替代了在高温环境下无法实现相应功能的传统分子。ZyALD也可应用于后道工艺“金属-绝缘体-金属”结构(BEOL MIM Structure)以及嵌入式动态随机存取存储器(e-DRAM)中的高介电常数层。

  凭借优异的物理化学属性以及较高的挥发性、热稳定性和沉积速率,ZyALD已成为简便易用的替代产品,并且通过拓展制造工艺的工艺平台,帮助终端用户实现从传统化学品到ZyALD的完美过渡。

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